技术编号:6844270
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体处理,具体涉及蚀刻有机绝缘层的方法。背景技术现今半导体工业不停努力致力于通过减小器件尺寸和增加器件封装密度,以提升器件的性能。就一给定的芯片大小,可通过减小各有源器件间垂直与侧向的距离以达到增加器件封装密度的目的,这样做会造成各层间电介质厚度的减少(通常是指金属间氧化物或IMO)。不幸地,减少电介质厚度增加了层间电容,而电容的增加造成集成电路高频性能的减低。在集成电路中,像二氧化硅与氮化硅等传统的绝缘层,其介电常数“K”一般都约在3.9...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。