技术编号:6844284
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。隧道触点也称为隧道过渡区,它被使用在许多半导体器件中,例如用于隧道二极管和非易失性存储器中。典型的非易失性存储器涉及的是EPROM(可编程只读存储器)类型的存储器,例如EAROM(可电改写的只读存储器),EEPROM(电可擦可编程只读存储器),EPROM,闪存EPROM或OTPROM(一次性可编程只读存储器)。背景技术 隧道触点是两个电极之间的电连接,它在传统意义上被认为是相互绝缘的。两个电极之间有一个仅仅为若干纳米的间隔,因此可通过量子机...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。