技术编号：6844378
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发明背景技术 领域本发明的实施例一般涉及一种电化学电镀系统。背景技术 亚1/4微米大小的器件(features)的金属化是现在和未来几代集成电路制造工艺的基本技术。更具体地说，在像超大规模集成类型器件这样的器件中，即在具有超过百万逻辑门的集成电路的器件中，位于这些器件中心处的多层互连一般是通过用导电材料如铜来填充高纵横比，即大于约4∶1的互连器件而形成的。传统上，是使用沉积技术如化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)来填充这些互连器件。但是，随着互...
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