技术编号：6844381
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造硅外延晶片的方法，和该方法制造的外延晶片。背景技术 具有公知的技术用于在具有在硅单晶衬底上外延生长的硅单晶膜的硅外延晶片(在下文中也简称外延晶片)中通过离子注入其硅单晶膜的工艺形成包含杂质的离子注入层(在下文中也称作硅外延层或简称作外延层)，以及进一步形成另一外延层以由此保留离子注入层作为掩埋层。在一些情况下，在制造元件例如功率MOSFET和垂直双极晶体管的工艺中，必须在外延晶片中形成深度方向较长的杂质添加区(在本说明的下文中也称作垂直添加区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。