技术编号:6844508
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制造具有顶部和底部接触结构的垂直结构的复合半导体器件。背景技术 传统地,使用绝缘蓝宝石衬底制造包括发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、异质结双极晶体管(HBT)、高电子活动度晶体管(HEMT)的大多数GaN-基半导体器件。结果,由于必须形成顶部n-接触物以与顶部p-接触物形成电连接,因此用绝缘衬底构成的器件结构典型地被构造成横向结构(lateral structure)。这种结构引起了多个器件性能问题,例如电流拥挤(currentcrowd...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。