技术编号:6844520
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半可熔连接系统和方法,更具体地涉及用于多层集成电路的这种改进的半可熔连接系统和方法。背景技术 可熔连接通常被用在集成电路(IC)中以调整一个或一个以上的IC参数。典型的可熔连接具有完整状态和熔化状态。在完整状态下,可熔连接提供非常低的电阻,而在熔化状态下,可熔连接提供开路。可熔连接的应用例子是调整具有与电阻器串联的可熔连接的IC的偏移电压,配置电阻器使得可通过熔化适当连接来调整放大器的偏移输入和地之间的电阻。典型的现有可熔连接系统包括大的MO...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。