技术编号：6844639
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。本发明的半绝缘GaN 材料尤其适于用作制造电子和/或光电子器件的衬底。背景技术氮化镓和相关的III-V族合金对于高温和高频电子用途而言具有 很大的潜能。但是，由于缺少大面积天然GaN衬底，所以大多数GaN 器件生长在非天然(异质外延)衬底例如蓝宝石和碳化硅上。这种异质 衬底的使用由于在GaN和衬底材料之间的晶格失配和TE(热膨胀)失 配而会出现问题。TE失配的一个结果在于GaN/异质外延衬底结构的 弯曲，这又导致破裂以及难以构造具有较小形体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。