技术编号:6844683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种有机垂直腔激光发生装置。背景技术自80年代中期以来,就已经发展了基于无机半导体(例如AlGaAs)的各种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)(K.Kinoshita等,IEEE J.Quant.Electron.QE-23,882)。有很多公司已可制造可发射850nm波长激光的基于AlGaAs的各种VCSEL并具有超过100年的寿命(K.D.Choquette等,Proc.IEEE85,1730)。随着这些近红外激光器的成功,近年来人们的注意力...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。