技术编号：6844725
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造外延生长层，也就是通过外延生长获得的层的方法，该层特别是用于光学、光电子学或电子学领域。背景技术 使用技术人员公知的长晶(ingot pulling)技术可以大量并高质量地获得具有在上述领域特别重要的性质的某些材料，例如硅。然后，所得的晶棒(ingot)容易地切成晶片，在大量加工步骤之后，晶片变成用于制造集成电路的衬底(substrate)。诸如砷化镓、氮化镓、磷化铟、锗或碳化硅之类的其它材料也具有意义。然而，这些材料并非都可以通过拉拔具...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。