技术编号：6844794
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有高耐热性的高耐电压宽禁带半导体装置。背景技术 碳化硅(以下，记为SiC)等宽禁带半导体材料与硅(以下，记为Si)相比，具有禁带宽度较大且绝缘击穿电场强度也大约大1个量级等优越的物理特性。因此，SiC作为适合于在高耐热且高耐电压的功率半导体装置中使用的半导体材料而引人注目。作为使用了SiC的现有例的高耐热和高耐电压的功率半导体装置的例子，在2001年的国际学会论文集「Proceedings of 2001International Sympos...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。