技术编号:6844815
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化物半导体分层结构,并且更具体而言是涉及一种氮化物半导体分层结构,该结构包括一个相对厚的包含AlN的单晶氮化物半导体材料的复合层,该复合层位于一个低温沉积的包含AlN的氮化物半导体材料的缓冲层上。因为激光器中的光波导层及其下面的包覆层所形成的光约束结构提供的光约束不够,所以这种常规激光器发出光的远场图显示出多峰,而不是想要的单峰。该光约束结构允许光从光波导层泄漏到包覆层下的接触层中。从而该接触层起到寄生光波导的作用,引起高次模中的的杂散激光振荡...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。