技术编号：6845038
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于半导体装置的领域。更详言之，本发明关于半导体场效应晶体管(FETs)的工艺领域。背景技术 在集成电路(IC)的发展中，如超大规模集成电路(VLSI)，一直都存在着追求更高的集成电路效能的需求。因此，半导体制造业面临增加晶体管效能的挑战，晶体管系指用于ICs中的N沟道场效应晶体管(NFETs)或P沟道场效应晶体管(PFETs)。衡量场效应晶体管(FETs)的重要指针之一为工作速度，工作速度与FET中的电流有关。典型的FET包含栅极堆栈，包含位于栅极...
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