技术编号:6845190
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景1.本公开涉及半导体制备,尤其是涉及用于深沟槽电容器存储节点形成而深蚀刻掩埋式带状多晶硅的改进方法。2.相关技术的描述半导体存储器件例如动态随机存取存储器(DRAM)包括通过晶体管存取而存储数据的电容器。深沟槽(DT)电容器属于DRAM技术所用的电容器类型。深沟槽电容器一般掩埋在半导体衬底内。为使深沟槽电容器与转移器件(存取晶体管)连接,必须形成掩埋式带状触点。掩埋式带状触点的形成对DT氧化物套环开凹槽,形成麻点(divot)或凹槽部分,接着用掺杂多晶...
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