技术编号:6845229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。要求于2003年9月18日提交的日本专利申请No.2003-325953的优先权,该申请的内容通过引用而结合在此。背景技术 在光刻技术中,主要包含碱溶性树脂和作为光敏剂的含醌二叠氮基的化合物的正型光刻胶组合物被常规地用于制造半导体器件或液晶元件。这种正型光刻胶组合物在半导体器件或液晶元件的制造中具有能够适合实用的特性。但是,在需要厚膜的方法,例如LCD驱动器等的块形成方法、CSP(芯片尺寸/刻度包)的最大配线方法、形成磁头的磁性线圈方法的制...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。