技术编号:6845256
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有高分辨率结构的有机电子元件,具体而言涉及一种具有低源极-漏极距离的有机场效应晶体管(OFET),以及能够大规模生产的生产方法。背景技术 集成数字电路的开关频率和/或开关速度相当重要地受到沟道长度“l”决定性地影响。因此并不缺乏保持沟道长度尽可能小的尝试,也就是说提供具有尽可能高程度的分辨率的结构的有机电子元件的芯片。公知具有高分辨率结构和小源极-漏极距离“l”的有机电子元件,具体而言OFET。然而,至今这些都是以与高成本联系的复杂工艺步骤...
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