技术编号:6845336
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于,所述缺陷由与硅晶片表面相邻的空腔引起。在制造单晶硅时,在从熔液中拉出单晶和随后的冷却时会出现晶格空位过饱和。在这种情况下,晶格空位聚集成空腔,这些空腔根据拉晶过程特性、速度和冷却速率而具有大约100nm的平均大小和取决于半径的密度分布。即使只有相对小部分的晶体受干扰,这一晶体构造缺陷也能对晶体的各种特性施加重要的影响。这样的偏差例如可以是在晶体中通过空位累积形成的八面体空腔、即所谓的“晶体的原生粒子缺陷(Crystal Originat...
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