技术编号:6845531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在电子设备中采用的III族氮化物半导体元件,包括发光器件如发光二极管(LED)和激光二极管(LD),光接收器件如光学传感器,以及晶体管。更具体的说,本发明涉及用于制造发射紫外光(即具有380nm或更小波长的光)的发光器件的III族氮化物半导体元件。背景技术 GaN(氮化镓)化合物半导体已经用于例如蓝光发光二极管(LED)。通常,通过利用有机金属化合物作为III族元素源和氨(NH3)作为V族元素源的金属有机化学气相沉积(MOCVD),在由蓝宝石(即...
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