技术编号：6845605
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及一种半导体器件及制造方法，更具体而言，涉及一种半 导体器件及制造方法，其在器件制造过程中在器件中施加拉应力和压应力。背景技术半导体器件衬底内的才几械应力可以调节器件性能。即，已知半导体器件 内的应力提高了半导体器件的特性。因此，为了改善半导体器件的特性，在n型器件(例如，NFET)和/或p型器件(例如，PFET)的沟道中产生了拉 应力和/或压应力。然而，相同的应力分量，无论是拉应力或是压应力，有差 别地影响n型器件和p型器件的特性。例如，公知...
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