技术编号:6845623
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及一种包括有机场效应晶体管(OFET)的半导体器件。更具体地,本发明涉及一种利用垂直器件结构来形成垂直有机场效应晶体管(VOT)的有机半导体器件。背景技术 这里所涉及的公开和其他参考材料描述了本发明的背景,并且提供了关于其实施的附加细节,包括在此作为参考。为了方便,将参考材料通过数字来引用并组合在所附的文献目录中。自从其发现[1,2]以来,有机场效应晶体管(OFET)已经吸引了相当大的关注,这是因为其灵活性、低成本以及适合于在大表面区域上制造...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。