技术编号:6845681
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体制造领域,更具体地说,涉及利用双栅极或“翼片(fin)”FET晶体管的半导体制造方法。背景技术 常规的金属氧化物半导体(MOS)具有这样的结构其中在晶体管沟道区之上栅电极被中间栅电介质膜取代。在该沟道之下的区域包括体型衬底或者外延膜。通过将偏压施加给栅电极运行晶体管。体型材料同样地接地或被偏压到恒定电压。因此,常规的晶体管可以被描述为具有单侧栅极,因为栅极仅存在于该沟道的一侧(即之上)。一般认为,单侧栅极晶体管固有地具有在操作上的特性...
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