技术编号:6845700
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到半导体衬底材料,更确切地说是涉及到绝缘体上锗(GOI)衬底材料和制作GOI衬底材料的方法以及绝缘体上硅锗(SGOI)衬底材料。本发明还涉及到至少包含本发明的GOI衬底材料的半导体结构。背景技术 在半导体工业中,众所周知锗(Ge)的电子和空穴载流子迁移率都比硅(Si)的更高。尽管具有较高的载流子迁移率,但由于氧化锗的质量通常很差,故锗衬底目前还未被用来制作金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。硅技术的进展已经导致了引入高k介质(介电常数大...
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