技术编号：6845881
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金刚石n型半导体及其制造方法、应用该金刚石n型半导体的半导体元件及应用该金刚石n型半导体的电子发射元件。背景技术 应用SCR、GTO、SIT、IGBT、MISFET等半导体材料的功率器件，是利用n型或p型等半导体制造的。在这种功率器件中，除了控制各自的载流子的浓度之外，非常重要的是还要形成浓度非常高的载流子浓度、降低电阻。这是因为希望与供给电流的电极金属之间的接触电阻较小。因此，在现有技术中，通过高浓度的掺杂，形成n+层及P+层，通过该层，能够实...
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