技术编号:6846059
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沟槽绝缘栅场效应晶体管(IGFET),特别但不仅是涉及适于用作低或中击穿电压的控制和同步FET的沟槽MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)结构。低压沟槽MOSFET通常例如用于诸如个人计算机的电子设备的电源中的电压调节器模块(VRM)中。通常,使用一对MOSFET,称为控制FET和同步FET。这些FET的理想特性稍有不同。对于同步FET,传导功率损耗应该尽可能低。由于传导功率损耗与特定导通电阻(Rds,on)成比例,因此,此参数应该降低。另...
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