技术编号:6846065
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般而言系有关半导体技术,更明确地说系有关藉由硅化物生长掺杂物的雪耙(snowplow effect)效应使半导体装置硅化以形成陡接面(abrupt junctions)。背景技术 集成电路系由数百至数百万个单独组件所构成。一个普通组件为半导体晶体管。目前所使用的最普通且重要的半导体技术系以硅为主,而最佳的以硅为主的半导体装置为金属氧化物半导体(“MOS”)晶体管。晶体管含有在硅衬底上的栅极电介质上的栅极电极(通常为多晶硅)。在多晶硅栅极的两侧上的硅...
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