技术编号：6846067
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 在半导体工业中，为了响应封装或高密度封装的减薄，通过层叠芯片技术进行半导体晶片的减薄。通过在与图形形成表面(电路表面)相反的侧面中研磨晶片表面的所谓后-表面研磨执行减薄。通常，在执行后-表面研磨的常规方法和输送中，尽管仅仅由后研磨保护带保持晶片，但是减薄实际上仅仅可以完成至约150μm的厚度，因为研磨之后具有保护带的晶片被翘曲或研磨处的厚度均匀性低的问题。为了解决这些问题，使用具有高硬度和大厚度(从100至200μm)的聚对苯二甲...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。