技术编号:6846070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别涉及半导体基板的处理。背景技术 以往的、在半导体基板(半导体晶片)的第一主面与第二主面之间流过电流的纵型半导体装置中,为了改善特性(例如降低接通电压),而进行了半导体基板的薄膜化。另一方面,在控制超过1000V的高电压的高耐压半导体装置的领域中,需要与耐压相对应的厚膜化。即,在1个半导体制造装置中,今后越来越需要处理具有不同厚度的多个半导体基板。另外,在以DRAM为主的超大规模集成电路(ULSI)用晶片中,有大口径化的趋势,并且为了降低...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。