技术编号:6846120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术1.发明领域本发明一般涉及非易失性数字存储器,特别涉及改进的可编程非易失性存储器(例如传统的EEPROM或快速EEPROM)的单元结构及其制造方法,这种非易失性存储器存储两位信息。2.背景技术非易失性存储器件例如EPROM、EEPROM和快速EPROM器件通常包含作为存储单元的晶体管矩阵,所述存储单元用于存储一位信息。该矩阵中的每个晶体管都具有形成在n或p型半导体衬底上的源和漏区、形成在半导体衬底表面上且至少位于源和漏区之间的薄隧道介电层、位于绝缘...
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