技术编号:6846243
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件、电子器件及电子设备。背景技术 近来,在含有半导体集成电路的器件中,为了提高其高集成度,每个元件的尺寸趋向于日益小型化。例如,在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中,例如,栅极绝缘膜(栅极绝缘层)的厚度变为小于10nm,因此,难以确保绝缘膜的抗电介质击穿性。栅极绝缘膜的电介质击穿包括时间零点电介质击穿(Time ZeroDielectric Breakdown,TZDB)和时间相关电介质击穿(Time-Dependent Di...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。