技术编号:6846246
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及集成电路保护结构,尤其涉及一种用于保护集成电路不受极端ESD条件的静电释放(ESD)结构以及一种制造方法。背景技术 ESD是集成电路(IC)制造和使用方面一个已知的且有记载的问题。当来自静电的大电压脉冲施加到集成电路的I/O垫上时,ESD发生。ESD电压尖脉冲可能引起对绝缘层和导电互连以及集成半导体器件的损坏,这可能导致短路和/或断路故障和过热。另外,这种尖脉冲可能损坏结区域,导致交叉扩散和熔化。ESD保护已经形成为某些高频应用例如射频(R...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。