技术编号:6846336
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,具体地说,涉及具有金属和硅化物栅电极的CMOS器件。背景技术 具有由二氧化硅制成的很薄的栅极电介质的CMOS器件可能会经历不可接受的栅极漏电流。用某些高k介电材料代替二氧化硅形成栅极电介质可以降低栅极泄漏。然而,由于这种电介质不能与多晶硅兼容,因此已经提出在包括高k栅极电介质的器件中以金属栅电极代替基于多晶硅的栅电极。尽管金属栅电极可用于形成NMOS和PMOS晶体管,但是如果使用相同材料来制作两种类型的晶体管的金属栅电极,则不可能产生...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。