技术编号:6846501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及半导体器件,更具体地说,涉及MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,再更具体地说,涉及垂直MOSFET。背景技术 在1965年,Dordon Moore博士,时任Fairchild半导体公司研究与发展主管,预测从50年代末制造第一个集成电路开始每个集成电路上晶体管器件的数量每两年翻一番,并且它预计这种趋势在可预见的未来会继续。这个预测被业界称为“摩尔定律”。现在几乎40年过去了,不管有多少阻碍原理的可怕预测,每次增长半导体密度的坚韧...
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