技术编号:6846581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。该发明涉及的是半导体器件,特别是横向功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。背景技术 在电源集成电路(power IC)开发领域中,将电源开关与控制电路集成而发展单芯片工艺是主要趋势。特别是,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)工艺正广泛应用在制造单片集成电路上。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)工艺涉及在半导体衬底的表面上进行平面扩散,从而形成横向的主电流通道。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)工艺使用了带有薄型晶膜(EPI)或者N型...
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