技术编号:6846593
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。总体来说,本发明涉及半导体器件,具体来说,涉及关于改进 的功率半导体器件(例如,晶体管和二极管)及其制造方法,包括 封装和结合有功率半导体器件的电路的各种实施例。背景技术功率半导体器件中的关4建部^f牛是固态开关(solid state switch )。 从自动应用中对电池操作的消费电子器件的点火控制,到工业应用 中的功率转换,都需要最满足特定应用需要的功率开关。持续发展 包括诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET)、 绝缘栅型双极性晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。