技术编号:6846595
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及外延沉积工艺,具体地涉及在衬底上沉积碳化硅外延薄膜的方法和最终的外延结构。背景技术 沉积系统和方法通常被用于在衬底上形成半导体材料层,例如薄的外延薄膜。例如,化学气相沉积(CVD)反应室系统和工艺可以用于在衬底上形成诸如碳化硅(SiC)的半导体材料层。CVD工艺对于形成具有受控性能、厚度、和/或排列的层例如外延层尤为有效。典型地,在诸如CVD系统的沉积系统中,衬底在反应腔中被置于基座(susceptor)内,且包括待沉积在衬底上的反应剂(reag...
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