技术编号:6846659
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电二极管。更具体地说,本发明涉及雪崩光电二极管。背景技术 由于已知的光子与电子间的相互作用,近年来,在光电二极管领域中已经取得进展,特别是那些利用半导体材料的光电二极管。一类基于半导体的光电二极管,亦称雪崩光电二极管,包括许多用于不同目的的诸如吸收和倍增(multiplication)的半导体材料。雪崩光电二极管结构,通过被激发的电荷载流子的作用,在倍增层中产生大量电子空穴对,给出大的增益。为了防止吸收层中的隧道效应,调整雪崩光电二极管自身内的...
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