技术编号:6846762
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于,尤其关于具有ONO(Oxide/Nitride/Oxide,即氧化物/氮化物/氧化物)膜的非挥发性半导体记忆体及其制造方法。背景技术 近年来,可数据重写的半导体装置的非挥发性记忆体受到广泛利用。在这种非挥发性记忆体的中,正进行开发技术以提高每单位面积的位元(bit)量并减低每单位位元的成本。作为非挥发性记忆体,一般使用NOR(反或)型或NAND(反及)型的阵列形式的浮栅极(floating gate)式快闪记忆体(flash memory)。其...
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