技术编号：6846804
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其低成本的生长技术和工艺，属于半导体电子。背景技术 大功率半导体发光二极管具有取代白炽灯的巨大前途，但是，首先要解决技术上的问题。半导体发光二极管由于几何结构的不同划分为两类横向结构和垂直结构。以蓝宝石为生长衬底的横向结构的传统的氮化镓基半导体发光二极管的主要问题包括散热效率低，电流拥塞，电流密度低，和生产成本高。为解决横向结构的大功率氮化镓基半导体发光二极管的散热问题，倒装焊技术被提出。但是，倒装焊技术工...
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