技术编号:6846855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件,尤其涉及具有如下沟道的鳍片场效应晶体管(FinFET)器件,所述沟道包括在支撑衬底上形成并在同样形成于支撑衬底上的水平设置的源区和漏区之间延伸的鳍片(fin)。背景技术 过去的趋势是,通过不断地缩小FET器件的尺寸来提高器件速度,而持续改善这些器件的性能。然而,常规FET器件具有单个栅极,最近,已经研制出双栅极结构,其在FET的体或沟道的两侧上都形成栅极。双栅极结构在器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。