技术编号:6846944
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新型的、简便的无掩膜横向外延技术并结合金属有机气相外延(MOCVD)薄膜技术,生长GaN基III族氮化物薄膜的方法和技术,尤其是生长高质量、低位错密度GaN薄膜的方法。二.技术背景以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为主的III族氮化物材料(又称GaN基III族氮化物材料)是近几年来国际上备受重视的新型半导体材料,其1.9-6.2eV连续可变的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能,使其成为短...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。