技术编号:6847198
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种半导体器件及其制造方法,更具体地,涉及一种半导体器件以及在电介质材料内制造亚光刻特征(sublithographic features)以降低这样材料的有效介电常数的方法。背景技术 为了制造微电子半导体器件,例如集成电路(IC),在硅晶片上选择地沉积许多不同的金属和绝缘层。例如,绝缘层可以是二氧化硅、氧氮化硅、氟硅玻璃(FSG)等。这些绝缘层沉积在金属层之间,即,层间电介质(ILD)层,可以作为层之间的电绝缘或用于其它已知功能。通常由已知...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。