技术编号:6847401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 图10是表示现有技术中对氧化膜等进行干蚀刻时使用的干蚀刻装置的结构的示意图。正如图10所示,在反应室101内,配置着设在底面部的下部电极102,和设置在顶部、与下部电极102相对的上部电极110。下部电极102和上部电极110,为了产生等离子体而离开必要的空间。在下部电极102上,设置着旨在保持被处理基板103的聚焦环108。为了保持被处理基板103,聚焦环108具有空洞。在反应室101的外侧,设置着给下部电极102外加电压的高频...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。