技术编号：6847575
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术来源本发明提供一种采用电子束大小电流混合一次曝光制备X射线掩模的方法。 背景技术 X射线光刻(XRL)采用1nm波长的软X射线，是一种接近式光刻。就光刻工艺性能而言，X射线光刻能同时实现高分辨率、大焦深，大像场等，是其他所有光刻手段难以比拟的，掩模制造技术是X射线光刻开发中最为困难的部分。人们普遍认为，1倍的X射线光刻掩模制作的高难度是阻碍X射线光刻技术早日进入工业生产领域的障碍。可以说，X射线光刻掩模开发的成败是关系到X射线光刻技术能否以及何时应用于...
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