技术编号:6847577
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,尤其涉及一种与高集成度的DRAM存储器单元有关的,该方法改善了单元晶体管的短沟道效应,同时改进了所述晶体管的刷新特性,还防止了晶体管阈值电压的下降。背景技术 在由高集成度的DRAM存储器单元引起的半导体器件设计规则减小的趋势下,单元晶体管的尺寸和沟道长度不断减小。减小的沟道长度使得晶体管的短沟道效应恶化,因此导致了DRAM存储器单元阈值电压的降低和刷新特性的恶化。最近,为了解决以上问题,研究了一种具有凹槽栅极(recess gate)的晶体...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。