技术编号:6847645
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体装置的方法,所述半导体装置具有尺寸精确的亚微米特征。尤其可将本发明应用于以大约0.15微米及0.15微米以下的设计规则,制造在外围电路区域具有尺寸精确的栅极结构的半导体装置。典型半导体装置包括一基底与该基底上的元件,如晶体管及/或存储单元。在该半导体基底上形成各种互连层将这些元件互相电连接并连接至外部电路。典型的传统制造技术包括在核心存储单元区域形成存储单元以及形成外围电路,对核心存储单元区域的特有构造的形成方法对外围电路区域的形成...
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