技术编号:6847646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子器件结构和制造方法,并且尤其涉及通过悬挂(pendeo-)和侧向外延过生长(overgrowth)而实施的第III族元素氮化物半导体结构及制造方法。现在还不能得到商用的高性能大块GaN晶体。因此,一般作为异质外延层在下面的非GaN衬底上制造GaN晶体。但不幸的是,GaN与大多数合适的衬底晶体有较大的晶格错配度。例如,GaN与蓝宝石有15%的晶格错配度,与碳化硅有3.5%的晶格错配度。衬底与外延层之间的晶格错配会导致产生螺(threading)...
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