技术编号：6847726
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造具有晶态半导体的半导体器件的工艺。本发明还涉及用于集成电路，尤其是，用于电光装置中的有源阵列电路的开关元件或者与有源阵列电路形成在同一衬底的驱动电路的薄膜晶体管。背景技术 非晶硅膜很容易用作TFT的薄膜半导体。然而，非晶硅膜的电特性要比晶态薄膜半导体，例如，多晶硅、单晶硅、以及微晶硅差得多。而晶态硅膜可以通过先形成非晶硅膜，再加热处理晶化所获得薄膜来制成。晶化非晶硅膜的热处理要求将该膜在温度600℃或更高下加热为期10小时或更长。这样的热...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。