技术编号:6847730
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及低温下,低至450℃或更低的温度,制造绝缘栅半导体器件的工艺方法,还涉及以高成品率,制造包括有高集成度的所述器件的集成电路(IC)的方法。本发明涉及用上述工艺制造的半导体器件,进一步涉及高可靠性的半导体器件。依照本发明的半导体器件,适用于,例如,有源的阵列驱动液晶显示器,图象传感器驱动电路等,以及用于SOI集成电路及通用半导体集成电路(例如,微处理机、微控制器、微机、半导体存贮器等)的薄膜晶体管。近来,人们致力于研究在绝缘衬底上制造绝缘栅半导体器...
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