技术编号：6847806
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本项发明属于光电，具体涉及结合金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)外延生长技术、激光剥离和倒封装技术的一种功率型半导体发光二极管(LED)芯片的制备方法。本发明提出一种通过生长直接获得分立晶粒LED芯片的方法，提供LED芯片的几何图形设计不受LED芯片后工艺限制的新途径，适用于获得新型、大功率LED的制备。背景技术 通常，LED是在衬底上外延生长获得的，因而，LED的制备受到衬底晶体的晶格结构的制约。晶格失配、热膨胀系数的差异，使外延生长阶段的芯片外延层中...
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