技术编号:6847844
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件制作工艺,特别是一种适合于大批量生产的消除激光器COD的方法。背景技术 1962年后期,第一支砷化镓同质结半导体激光器研制成功;1967年用液相外延法制成单异质结激光器,实现了半导体激光器室温下连续工作;自1970年后,半导体激光器得到了突飞猛进的发展。随着金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)和分子束外延(MBE)等外延技术的发展,可以生长出原子尺寸量级的超薄层,半导体激光器结构得到不断完善发展目前常用的激光器结构是双异质结量子阱激...
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