技术编号:6847862
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料,特别是一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法。背景技术 III-氮化物是继Si、GaAs等第一、第二代半导体材料之后的第三代新型半导体材料,其中GaN作为宽禁带半导体材料有许多优点,诸如饱和漂移速度高,击穿电压大,载流子输运性能优异以及能够形成AlGaN、InGaN三元合金和AlInGaN四元合金等,容易制作GaN基的pn结。鉴于此,近几年来GaN基材料和器件得到了广泛和深入的研究,MOCVD技术生长GaN基材料日趋成熟;...
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